lnGaAs-Lawinenfotodioden-Chip

Olching, 16.06.2019 (PresseBox) – Der neue InGaAs-Lawinenfotodioden-Chip von ANDANTA mit 200µm aktivem Chip-Durchmesser ist sowohl im linearen als auch im “gequetschten” Modus für die Photonenzählung betreibbar. Typischerweise wird die InGaAs-APD bei einer Betriebsspannung von 35 bis 50 V mit einem Multiplikationsfaktor von M = 10 betrieben. Die Durchbruchsspannung beträt max. 55V.
Die sehr zuverlässige, planare InGaAs-APD deckt einen Spektralbereich von 0.95 bis 1.65µm bei einer Empfindlichkeit von typ. 9 A/W (M = 10, λ = 1.55µm) ab. Die Rauscheigenschaften (Excess Noise Faktor) sind sehr gut und es treten nur geringe Leckströme auf.
Die Ansprechgeschwindigkeit liegt bei über 1 GHz (3 dB-Bandbreite).
Die InGaAs-APD wird bevorzugt im Chip- oder Waferformat geliefert. Auf Kundenwunsch können die Einzelchips aber auch in passende TO- oder CLCC-Gehäuse eingebaut werden.
Eine gehäuste Standard-Version im TO46-Gehäuse mit integriertem thermoelektrischen Kühler ist in Kürze bei ANDANTA erhältlich.
Hauptanwendungen sind LIDAR (Light Detection and Ranging), Abstands- und Geschwindigkeitsmessung über die Pulslaufzeit, empfindliche Spektralanalyse, Faseroptische Kommunikation und Testung, Optische Kohärenztomographie (OCT), Sicherheitstechnik und weitere mehr.

Unternehmen: ANDANTA GmbH


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